UCC27288
- ハイサイド / ローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
- 16ns (標準値) の伝搬遅延
- 立ち上がり時間 12ns、立ち下がり時間 10ns (標準値、1800pF 負荷時)
- 1ns (標準値) の遅延マッチング
- 外部ブートストラップ・ダイオードを構成可能
- 8V (標準値) の低電圧誤動作防止
- 入力の絶対最大負電圧 (-5V)
- HS の絶対最大負電圧 (-14V)
- ±3A のピーク出力電流
- 絶対最大ブート電圧:120V
- 入力は互いに独立で、VDD とも独立
- 両方のチャネルの低電圧誤動作防止
- 接合部温度 -40℃~ 140℃で動作を規定
UCC27288 は、100V の最大スイッチ・ノード (HS) 電圧定格を持つ堅牢な N チャネル MOSFET ドライバです。このデバイスは、ハーフブリッジまたは同期整流降圧構成に基づくトポロジで 2 つの N チャネル MOSFET を制御できます。UCC27288 のソース電流とシンク電流のピークは 3A で、プルアップおよびプルダウン抵抗も小さいため、MOSFET のミラー・プラトー遷移中のスイッチング損失を最小限に抑えて大電力 MOSFET を駆動できます。各入力が電源電圧と無関係であるため、UCC27288 はアナログ・コントローラともデジタル・コントローラとも組み合わせて使用できます。2 つの入力はお互いに完全に独立しているため、制御設計のフレキシビリティが向上します。
入力ピンと HS ピンは大きな負の電圧に耐えられるため、システムの堅牢性が強化されます。各入力はお互いに完全に独立しています。これにより、必要に応じて、入力を重複させることで、2 つの出力を重複させることができる場合に、制御のフレキシビリティが実現します。伝搬遅延が短く、遅延マッチング仕様によりデッドタイムの要件が最小化されるため、さらにシステム効率が向上します。
ハイサイドとローサイド両方のドライバ段に低電圧誤動作防止 (UVLO) 機能があり、VDD 電圧が指定のスレッショルドを下回ると、出力が強制的に LOW になります。ブートストラップ・ダイオードが内蔵されていないため、ユーザーは、アプリケーションに適切な外部ブートストラップ・ダイオードを使用できます。UCC27288 は、SOIC8 パッケージで提供されており、過酷な環境におけるシステムの堅牢性を向上させます。
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技術資料
設計および開発
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購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
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