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新製品
Low-side 3A/3A driver with desaturation protection and 12V undervoltage lockout
概算価格 (USD) 1ku | 0.55
ワイド バンドギャップ技術
各種トポロジで高い電力密度と設計の簡素化を実現する高速 GaN ゲート ドライバ
高速タイミング仕様、リードレス パッケージ、狭いパルス幅への応答という特性を組み合わせた TI のドライバを採用すると、FET の高速スイッチングを実現できます。ゲート電圧のレギュレーション、プログラム可能なデッドタイム、内部消費電力の低減などの特長を追加した結果、高周波スイッチングを通じて可能な範囲で最大の効率を実現できます。
GaN と SiC の技術で電源の効率向上を実現します
An Introduction to Automotive LIDAR (Rev. B)
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
エネルギー効率と信頼性の高い小型システム設計に最適な SiC (シリコン カーバイド) ゲート ドライバ
SiC / IGBT ゲート ドライバの高い駆動電流、高い CMTI、短い伝搬遅延により、設計効率を高めることができます。TI の各種 SiC ゲート ドライバは、高速な短絡保護機能を内蔵し、高いサージ耐性を達成しているので、開発中のシステムで信頼性の高い絶縁を実現しやすくなります。高速かつ堅牢で信頼性の高いドライバを使用して、より高い PWM 周波数で SiC をスイッチングすることで、システム サイズ、重量、コストを低減できます。
IGBT & SiC Gate Driver Fundamentals
Silicon carbide gate drivers -- a disruptive technology in power electronics (Rev. A)
Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. C)
技術リソース
Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A)
ゲート ドライバに関する FAQ (よくある質問)
Impact of an isolated gate driver (Rev. A)
設計と開発に役立つリソース
100VIN 未満 DC/DC コンバータ向け電力段のリファレンス・デザイン
光入力エミュレーション・ゲート・ドライバ搭載、 200 ～ 480VAC ドライブ向け 3 相インバータのリファレンス・デザイン
480W、<17 mm, Thin Profile, 94% Efficiency, Fast Transient Response AC/>AC/DC SMPS (スイッチング電源) のリファレンス
TIDA-01495 は、低プロファイル (高さ 17mm)、94.1% のピーク効率、高い電力密度、ユニバーサル入力、24V DC、480W 出力、コンシューマ向け AC/DC 電源のリファレンス デザインです。この回路は、UCC28063Aをベースとするフロント エンドや、2 相のインターリーブ遷移モード (TM) 力率補正 (PFC) によって構成されており、PFC インダクタのサイズを最小化できるほか、EMI (電磁干渉) フィルタの要件を低減することもできます。HB-LLC 絶縁型 DC/DC 段を制御するのは、ハイブリッド ヒステリシス制御 LLC コントローラである (...)