TPS7H3301-SP
- 5962R14228(1):
- 総吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA) 認定
- シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR)、シングル イベント バーンアウト (SEB) の耐性:LET = 70MeV-cm2/mg(2) まで
- シングル イベント過渡 (SET)、シングル イベント機能割り込み (SEFI)、シングル イベント アップセット (SEU) の耐性:70MeV-cm2/mg(2) まで
- DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4 終端アプリケーションをサポート
- 入力電圧:2.5V レールと 3.3V レールをサポート(3)
- 0.9V まで引き下げられた独立した低電圧入力 (VLDOIN)により電力効率が向上(3)
- 3A シンク / ソース終端レギュレータにドループ補償を搭載
- イネーブル入力とパワー グッド出力による電源シーケンス
- VTT ターミネーション レギュレータ
- 出力電圧範囲:0.5~1.75 V
- 3A のシンクおよびソース電流
- センス入力を備えた高精度分圧回路を内蔵
- リモート センシング (VTTSNS)
- VTTREF バッファ付きリファレンス
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VDDQSNS に対する 49%~51% の精度 (±3mA)
- ±10mA のシンクおよびソース電流
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- 低電圧誤動作防止 (UVLO)、過電流制限 (OCL) 機能を内蔵
TPS7H3301-SP は、TID および SEE 耐放射線性のダブル データ レート (DDR) 3A ターミネーション レギュレータで、VTTREF バッファが内蔵されています。このレギュレータは、シングル ボード コンピュータ、ソリッド ステート レコーダ、ペイロード処理などの宇宙向け DDR 終端アプリケーション用に、包括的でコンパクトな低ノイズ ソリューションを提供するように特化して設計されています。
TPS7H3301-SP は DDR、DDR2、DDR3、DDR4 を使用する DDR VTT 終端アプリケーションをサポートしています。TPS7H3301-SP VTT レギュレータの高速過度応答により、読み取り / 書き込み状況で非常に安定した電源を実現できます。遷移中、VTTREF 電源の高速トラッキング機能により、VTT/Vo と VTTREF の間の電圧オフセットが最小化されます。シンプルな電源シーケンスを実現するために、TPS7H3301-SP にはイネーブル入力とパワー グッド出力 (PGOOD) の両方が内蔵されています。PGOOD 出力はオープン ドレインであるため、複数のオープン ドレイン出力に接続して、すべての電源がレギュレーションに入ったことを監視できます。イネーブル信号を使用して、RAM (S3) パワーダウン モードへのサスペンド中に VTT/Vo を放電することもできます。
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技術資料
設計および開発
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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CFP (HKR) | 16 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。