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LMG1210

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5V UVLO とプログラマブル・デッドタイム機能搭載、GaNFET と MOSFET 向け、1.5A、3A、200V、ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

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製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 300 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.01 Rise time (ns) 0.5 Fall time (ns) 0.5 Iq (mA) 0.3 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 300 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.01 Rise time (ns) 0.5 Fall time (ns) 0.5 Iq (mA) 0.3 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Internal LDO Driver configuration Half bridge
WQFN (RVR) 19 12 mm² 4 x 3
  • 最大 50MHz で動作
  • 10ns (標準値) の伝搬遅延
  • 3.4ns のハイサイド - ローサイド間マッチング
  • 最小パルス幅：4ns
  • 2 つの制御入力オプション
    • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
    • 独立入力モード
  • 1.5A ピーク・ソースおよび 3A ピーク・シンク電流
  • 外部ブートストラップ・ダイオードによる柔軟性
  • 内部 LDO による電圧レールへの適応性
  • 高い CMTI：300V/ns
  • HO から LO への容量が 1pF 未満
  • UVLO および過熱保護
  • 低インダクタンスの WQFN パッケージ
  • 最大 50MHz で動作
  • 10ns (標準値) の伝搬遅延
  • 3.4ns のハイサイド - ローサイド間マッチング
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    • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
    • 独立入力モード
  • 1.5A ピーク・ソースおよび 3A ピーク・シンク電流
  • 外部ブートストラップ・ダイオードによる柔軟性
  • 内部 LDO による電圧レールへの適応性
  • 高い CMTI：300V/ns
  • HO から LO への容量が 1pF 未満
  • UVLO および過熱保護
  • 低インダクタンスの WQFN パッケージ

超高周波数高効率アプリケーション用に設計された LMG1210 は、調整可能なデッドタイム機能、非常に小さい伝播遅延、3.4ns のハイサイドとローサイドのマッチングといったシステム効率を最適化する特長を備えた、200V のハーフ・ブリッジ MOSFET および窒化ガリウム電界効果トランジスタ (GaN FET) ドライバです。この製品は、電源電圧にかかわらず 5V の電圧で確実にゲートを駆動する LDO も備えています。

各種のアプリケーションで最高の性能を実現するため、LMG1210 では設計者が、ハイサイドのブートストラップ・コンデンサを充電するために最適なブートストラップ・ダイオードを選択できます。ローサイドがオフのときは内部スイッチによりブートストラップ・ダイオードがオフになり、ハイサイド・ブートストラップの過充電を効果的に阻止するとともに、逆方向回復充電を最小限にします。スイッチング損失の増大を抑えるため、GaN FET 両端での追加寄生容量が 1pF 未満に最小化されています。

LMG1210 には、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIMでは、各出力が専用の入力によって別に制御されます。PWMモードでは、単一の入力から2つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド・タイムを0～20nsの範囲で調整できます。LMG1210は-40°C～125°Cの広い温度範囲で動作し、低インダクタンスのWQFNパッケージで供給されます。

超高周波数高効率アプリケーション用に設計された LMG1210 は、調整可能なデッドタイム機能、非常に小さい伝播遅延、3.4ns のハイサイドとローサイドのマッチングといったシステム効率を最適化する特長を備えた、200V のハーフ・ブリッジ MOSFET および窒化ガリウム電界効果トランジスタ (GaN FET) ドライバです。この製品は、電源電圧にかかわらず 5V の電圧で確実にゲートを駆動する LDO も備えています。

各種のアプリケーションで最高の性能を実現するため、LMG1210 では設計者が、ハイサイドのブートストラップ・コンデンサを充電するために最適なブートストラップ・ダイオードを選択できます。ローサイドがオフのときは内部スイッチによりブートストラップ・ダイオードがオフになり、ハイサイド・ブートストラップの過充電を効果的に阻止するとともに、逆方向回復充電を最小限にします。スイッチング損失の増大を抑えるため、GaN FET 両端での追加寄生容量が 1pF 未満に最小化されています。

LMG1210 には、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIMでは、各出力が専用の入力によって別に制御されます。PWMモードでは、単一の入力から2つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド・タイムを0～20nsの範囲で調整できます。LMG1210は-40°C～125°Cの広い温度範囲で動作し、低インダクタンスのWQFNパッケージで供給されます。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LMG1210 デッドタイム調整可能な 200V、1.5A、3A ハーフ・ブリッジ MOSFET および GaN FET ドライバ、最大 50MHz のアプリケーション向け データシート (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2020年 2月 6日
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設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LMG1210EVM-012 — LMG1210 ハーフブリッジ開ループの評価モジュール

LMG1210EVM-012 は、GAN FET 向けの LMG1210 メガヘルツ 200V ハーフ・ブリッジ・ドライバを評価する目的で設計されています。この EVM は、単一の LMG1210 によって駆動される、ハーフ・ブリッジ構成の 2 個の GaN（窒化ガリウム）FET によって形成されています。ボード上にコントローラは実装されていません。
ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

LMG1210 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM615C.ZIP (22427 KB) - PSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・モデル

LMG1210 TINA-TI Reference Design (Rev. C)

SNOM617C.TSC (610 KB) - TINA-TI Reference Design
ダウンロード
シミュレーション・モデル

LMG1210 Unencrypted PSPICE Transient Model

SNOM677.ZIP (7 KB) - PSpice Model
ダウンロード
CAD/CAE シンボル

LMG1210 Altium Deisgn Files

SNOR026.ZIP (3265 KB)
ダウンロード
計算ツール

SNOR035 — LMG1210 Component Design Calculator and Schematic Review

サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
ハーフ・ブリッジ・ドライバ
LMG1210 — 5V UVLO とプログラマブル・デッドタイム機能搭載、GaNFET と MOSFET 向け、1.5A、3A、200V、ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
ダウンロード
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

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リクエスト
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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
WQFN (RVR) 19 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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