LM5108
- ハイサイド / ローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
- 3mm × 3mm のパッケージで供給
- インターロックまたはクロス導通保護
- イネーブル / ディセーブル機能
- HS の絶対最大負電圧 (-7V)
- 5V (代表値) の低電圧誤動作防止
- 20ns (代表値) の伝搬遅延
- 立ち上がり時間 11ns、立ち下がり時間 8ns (代表値、1000pF 負荷時)
- 1ns (代表値) の遅延マッチング
- 2.6A シンク、1.6A ソース出力電流
- 絶対最大ブート電圧:110V
- ディセーブル時の低消費電流 (7µA)
- ブートストラップ・ダイオードを内蔵
LM5108 は、100V の最大スイッチ・ノード (HS) 電圧定格を持つ高周波数ハーフブリッジ・ゲート・ドライバです。同期整流降圧、フルブリッジ、アクティブ・クランプ・フォワード、LLC、同期整流昇圧などのハーフブリッジ構成に基づくトポロジで 2 つの N チャネル MOSFET を制御できます。
このデバイスはインターロック機能を備えており、両方の入力が High のときに両方の出力が同時に High になることを防止します。このインターロック機能により、モータ駆動および電動工具アプリケーションでシステムの堅牢性が向上します。イネーブルおよびディセーブル機能により、電力段を柔軟かつ高速に制御できます。バッテリ式工具では、LM5108 のイネーブル機能を使用して、システム・フォルトに対応するだけでなくスタンバイ電流も低減できます。各入力は電源電圧から独立しており、異なるパルス幅を扱うことができます。これにより、制御の柔軟性を最大限に高めることができます。モータ駆動など、ノイズが発生しやすいアプリケーションのシステムの堅牢性を向上させるために、入力とイネーブルはどちらも十分なヒステリシスを備えています。
ローサイド出力とハイサイド出力は、互いのターンオンとターンオフの間が 1ns に整合されています。これによりデッドタイムが最適化され、効率が向上します。5V の UVLO により、ドライバはより低いバイアス電源で動作できます。より低いバイアス電源を使用すると、電力段はスイッチング損失を増やさずにより高いスイッチング周波数で動作できます。VDD と HB の UVLO スレッショルドの仕様は、ハイサイド・ドライバとローサイド・ドライバがどちらも 5V (代表値) でオンになるように設計されています。VDD と HB の UVLO スレッショルドが同じ場合、ハイサイドとローサイドの両方のドライバをオンにするには、バイアス電源が VDD UVLO スレッショルドより高くなるように設計する必要があります。
ブートストラップ・ダイオードを内蔵しているため外付けディスクリート・ダイオードは不要であり、基板面積を有効に利用できます。小型のパッケージにより、電動工具などの電力密度の高い設計が可能です。
技術資料
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®
設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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VSON (DRC) | 10 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。