TRF0208-SEP
- VID (Vendor Item Drawing) VID V62/23605 が利用可能
- 放射線：
- 吸収線量 (TID)
- 放射線耐性保証 (RHA)：TID 最大 30krad (Si)
- 低線量率感度の向上 (ELDRS) フリー プロセス
- 最大 30krad (Si) TID の高線量率放射線ロット受け入れテスト (HDR RLAT）
- シングル イベント効果 (SEE)
- シングル イベント ラッチアップ (SEL) 耐性：線エネルギー付与 (LET) = 43MeVcm2/mg
- シングル イベント過渡 (SET) 特性：LET = 43MeV-cm2/mg
- 吸収線量 (TID)
- 宇宙用強化プラスチック (SEP)
- 鉛フリー構造
- 拡張温度範囲：-55°C～+125℃
- RF ADC を駆動する優れた性能
- シングルエンドから差動へのモードで 16dB の固定電力ゲイン
- 帯域幅：11GHz、3dB
- ゲイン平坦性：8GHz、1dB
- OIP3：36dBm (2GHz)、32dBm (6GHz)
- P1dB：14.5dBm (2GHz)、11dBm (6GHz)
- NF：6.8dB (2GHz)、6.8dB (6GHz)
- ゲイン不平衡および位相不平衡：±0.3dB および ±3º
- パワーダウン機能
- 単一電源動作：3.3V
- 動作電流：138mA
TRF0208-SEP は非常に高性能な完全差動アンプ (FDA) で、無線周波数 (RF) アプリケーション用に最適化されています。このデバイスは、高性能 ADC12DJ5200-SEP などの A/D コンバータ (ADC) を駆動する際に、シングルエンドから差動形式への変換を必要とする AC 結合アプリケーションに最適です。オンチップのマッチング部品により、プリント基板 (PCB) の実装が簡素化され、使用可能な帯域幅全体にわたって最高の性能を実現できます。このデバイスは、TI の先進的な相補型 BiCMOS プロセスで製造され、省スペースの WQFN-FCRLF パッケージで供給されます。
TRF0208-SEP はシングル レール電源で動作し、消費有効電流は約 138mA です。パワーダウン機能を利用して、消費電力を削減することが可能です。
技術資料
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7 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TRF0208-SEP 耐放射線 DC 付近 ～ 11GHz、完全差動 RF アンプ データシート (Rev. A 翻訳版) | PDF | HTML | 最新英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2024年 8月 2日 |
| * | 放射線と信頼性レポート | TRF0208-SEP Production Flow and Reliability Report | PDF | HTML | 2024年 12月 20日 | ||
| * | 放射線と信頼性レポート | TRF0208-SEP, Near-DC to 11GHz, Fully Differential RF Amplifier Single-Event Effects (SEE) Radiation Report | PDF | HTML | 2024年 12月 18日 | ||
| * | 放射線と信頼性レポート | TRF0208-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report | PDF | HTML | 2024年 12月 17日 | ||
| EVM ユーザー ガイド (英語) | TRF0208-SEP Evaluation Module User's Guide (Rev. A) | PDF | HTML | 2024年 7月 3日 | |||
| 証明書 | TRF0208SEP-EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2024年 6月 12日 | ||||
| 技術記事 | Phased array antenna systems: A new paradigm for electronics in satellites (Rev. A) | PDF | HTML | 2024年 6月 11日 |
設計および開発
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評価ボード
TRF0208SEP-EVM — TRF0208-SEP の評価基板
TRF0208-SEP 評価基板 (EVM) は、TRF0208-SEP デバイスの評価に使用できます。このデバイスは、2mm × 2mm の 12 ピン WQFN パッケージに封止済みで、差動出力の RF アンプです。このデバイスは、高速かつ RF 差動入力の ADC を駆動するための設計を採用しており、多くの場合、2 個のコンポーネント (ゲイン ブロックとパッシブ バラン) を使用する駆動段が不要になります。
リファレンス・デザイン
TIDA-010260 — 4T5R 宇宙グレード統合型トランシーバのリファレンス デザイン
4T5R 宇宙グレード統合型トランシーバのリファレンス デザインは、クロッキング ソリューションと電源ソリューションを搭載したフル RF サンプリング トランシーバを組み込んでいます。このデザインでは、すべて SEP 特性の TI デバイスと宇宙認定取得済みの受動部品が VITA-57 フォーム ファクタ内に搭載されています。
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン
TIDA-010274 — 宇宙グレードのディスクリート RF サンプリング トランシーバのリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、10GSPS のデュアル D/A コンバータと、5GSPS のデュアル A/D コンバータを搭載しているほか、X バンドまでの各帯域をサポートする RF インターフェイスに複数のアクティブ バランを採用しています。このデザインには、宇宙グレードのクロック処理ドーター カードと、宇宙グレードの電源ソリューション ドーター カードも付属しています。
設計ガイド: PDF
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| WQFN-FCRLF (RPV) | 12 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。