データシート
LMG3650R070
- ゲート ドライバ内蔵、650V、70mΩ の GaN 電力 FET
- >200V/ns の FET ホールド オフ
- 調整可能なスルーレートによるスイッチングパフォーマンスの最適化と EMI の軽減
- 10V/ns から 100V/ns の有効化スルーレート
- 10V/ns からフルスピードの有効化スルーレート
- 電源ピンと入力ロジック ピンの 9V から 26V の電圧範囲で動作します
- 堅牢な保護
- サイクル単位の過電流保護と応答時間 300ns 未満のラッチ付き短絡保護
- ハード スイッチング中のサージ耐性:720V
- 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
- サーマル パッド付きの 9.8mm × 11.6mm TOLL パッケージ
ドライバと保護機能を内蔵した LMG365xR070 GaN FET は、スイッチ モード パワー コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。
調整可能なゲート ドライブ強度により、独立な有効化と最大限無効化スルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。有効化スルーレートは 100V/ns10 から V/ns まで変動する可能性がありますが、負荷電流の大きさに基づいて 10V/ns の範囲で無効化スルーレートの最大値に制限することができます。保護機能として、低電圧誤動作防止 (UVLO)、サイクル単位の電流制限、短絡保護、および過熱保護が搭載されています。LMG3651R070 は、外部デジタルアイソレータへの電力供給に使用できる LDO5V ピンで 5V LDO 出力を供給します。LMG3656R070 は、ゼロ電圧検出 (ZVD) 機能を備えており、ゼロ電圧スイッチングが発生したとき ZVD ピンからパルスを出力します。LMG3657R070 は、ドレイン-ソース間電流が負であり、ゼロクロスポイント検出時に Low に遷移すると ZCD ピンを High に設定するゼロ電流検出 (ZCD) 機能を備えています。
技術資料
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* | データシート | LMG365xR070 ドライバと保護機能を内蔵した 650V、 70 mΩ GaN FET データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025年 1月 21日 |
EVM ユーザー ガイド (英語) | LMG3650R070 Evaluation Module | PDF | HTML | 2025年 1月 17日 |
設計および開発
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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TO-OTHER (KLA) | 9 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点