LMG3650R035
- ゲート ドライバ内蔵、650V、35mΩ の GaN 電力 FET
- >200V/ns の FET ホールド オフ
- 調整可能なスルーレートによるスイッチングパフォーマンスの最適化と EMI の軽減
- 10V/ns から 100V/ns の有効化スルーレート
- 10V/ns からフルスピードの有効化スルーレート
- 電源ピンと入力ロジック ピンの 9V から 26V の電圧範囲で動作します
- 堅牢な保護
- サイクル単位の過電流保護と応答時間 300ns 未満のラッチ付き短絡保護
- ハード スイッチング中のサージ耐性：720V
- 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
- サーマル パッド付きの 9.8mm × 11.6mm TOLL パッケージ
ドライバと保護機能を内蔵した LMG365xR035 GaN FET は、スイッチ モード パワー コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。
調整可能なゲート ドライブ強度により、独立な有効化と最大限無効化スルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。有効化スルーレートは 100V/ns10 から V/ns まで変動する可能性がありますが、負荷電流の大きさに基づいて 10V/ns の範囲で無効化スルーレートの最大値に制限することができます。保護機能として、低電圧誤動作防止 (UVLO)、サイクル単位の電流制限、短絡保護、および過熱保護が搭載されています。LMG3651R035 は、外部デジタルアイソレータへの電力供給に使用できる LDO5V ピンで 5V LDO 出力を供給します。LMG3656R035 は、ゼロ電圧検出 (ZVD) 機能を備えており、ゼロ電圧スイッチングが発生したとき ZVD ピンからパルスを出力します。LMG3657R035 は、ドレイン-ソース間電流が負であり、ゼロクロスポイント検出時に Low に遷移すると ZCD ピンを High に設定するゼロ電流検出 (ZCD) 機能を備えています。
技術資料
| 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | LMG365xR035 ドライバと保護機能を内蔵した 650V、 35 mΩ GaN FET データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025年 1月 3日 |
| EVM ユーザー ガイド (英語) | LMG3650R035 Evaluation Module | PDF | HTML | 2024年 12月 20日 |
設計および開発
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LMG3650EVM-114 — LMG3650R035 ドーターカード
LMG3650R035 評価基板 (EVM) は、2 個の LMG3650R035 GaN FET をハーフ ブリッジとして構成し、過熱保護機能、サイクルごとの過電流保護機能、ラッチ付き短絡非飽和保護機能を搭載しているほか、絶縁型バイアス電源またはブートストラップ電源のテストに必要なすべての補助ペリフェラル回路を組み合わせています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| TO-OTHER (KLA) | 9 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点