LMG3650R025
- 650V 25mΩ GaN power FET with integrated gate driver
- >200V/ns FET hold-off
- Adjustable slew rates for optimization of switching performance and EMI mitigation
- 10V/ns to 100V/ns turn-on slew rates
- 10V/ns to full speed turn-off slew rates
- Operates with supply pin and input logic pin voltage range from 9V to 26V
- Robust Protection
- Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with <300ns response
- Withstands 720V surge while hard-switching
- Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
- Advanced power management
- LMG3656R025 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
- LMG3657R025 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
- 9.8mm × 11.6mm TOLL package with thermal pad
The LMG365xR025 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
Adjustable gate driver strength allows the control of turn-on and maximum turn-off slew rates independently, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. Turn on slew rate can be varied from 10V/ns to 100V/ns, while the turn off slew rate can be limited from 10V/ns to a maximum based on the magnitude of load current. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle overcurrent limit, short-circuit and overtemperature protection. The LMG3651R025 provides a 5V LDO output on LDO5V pin that can be used to power external digital isolator. The LMG3656R025 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized. The LMG3657R025 includes the zero-current detection (ZCD) feature that sets the ZCD pin high when the drain-to-source current is negative and transitions to low upon detecting the zero-crossing point.
技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
* | データシート | LMG365xR025 650V 25 mΩ GaN FET With Integrated Driver and Protection データシート | PDF | HTML | 2025年 2月 14日 | ||
EVM ユーザー ガイド (英語) | LMG3650R025 Evaluation Module | PDF | HTML | 2024年 12月 20日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
LMG3650EVM-113 — LMG3650R025 ドーターカード
LMG3650R025 評価基板 (EVM) は、2 個の LMG3650R025 GaN FET をハーフ ブリッジとして構成し、過熱保護機能、サイクルごとの過電流保護機能、ラッチ付き短絡非飽和保護機能を搭載しているほか、絶縁型バイアス電源またはブートストラップ電源のテストに必要なすべての補助ペリフェラル回路を組み合わせています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。
LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
TO-OTHER (KLA) | 9 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点