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LMG2652

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ドライバと保護機能と電流センス機能内蔵、650V、140mΩ、GaN ハーフブリッジ

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製品詳細

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 140 ID (max) (A) 6.1 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 140 ID (max) (A) 6.1 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RFB) 19 48 mm² 8 x 6
  • 650V GaN パワー FET ハーフブリッジ
  • 140mΩ ローサイドおよびハイサイド GaN FET
  • 伝搬遅延時間が短い (100ns 未満) ゲート ドライバを内蔵
  • 広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション
  • ローサイド基準 (INH) とハイサイド基準 (GDH) のハイサイド ゲート ドライブ ピン
  • ローサイド (INL) / ハイサイド (INH) ゲート ドライブ インターロック
  • ハイサイド (INH) ゲート ドライブ信号レベル シフタ
  • スマート スイッチ付きブートストラップ ダイオード機能
  • ハイサイドの起動：<8µs
  • ローサイド / ハイサイドのサイクル単位の過電流保護
  • 過熱保護
  • AUX アイドル静止電流：250µA
  • AUX スタンバイ静止電流：50µA
  • BST アイドル静止電流：70µA
  • デュアル サーマル パッド付き 8mm × 6mm QFN パッケージ
  • 650V GaN パワー FET ハーフブリッジ
  • 140mΩ ローサイドおよびハイサイド GaN FET
  • 伝搬遅延時間が短い (100ns 未満) ゲート ドライバを内蔵
  • 広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション
  • ローサイド基準 (INH) とハイサイド基準 (GDH) のハイサイド ゲート ドライブ ピン
  • ローサイド (INL) / ハイサイド (INH) ゲート ドライブ インターロック
  • ハイサイド (INH) ゲート ドライブ信号レベル シフタ
  • スマート スイッチ付きブートストラップ ダイオード機能
  • ハイサイドの起動：<8µs
  • ローサイド / ハイサイドのサイクル単位の過電流保護
  • 過熱保護
  • AUX アイドル静止電流：250µA
  • AUX スタンバイ静止電流：50µA
  • BST アイドル静止電流：70µA
  • デュアル サーマル パッド付き 8mm × 6mm QFN パッケージ

LMG2652 は 650V 140mΩ GaN パワー FET ハーフブリッジです。LMG2652 は、ハーフブリッジ パワー FET、ゲート ドライバ、ブートストラップ ダイオード、ハイサイド ゲート ドライブ レベル シフタを 6mm x 8mm の QFN パッケージに統合することで、設計の簡素化、部品点数の低減、基板面積の低減を実現しています。

ローサイド電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵抗方式よりも消費電力を低減でき、またローサイドのサーマル パッドを冷却用 PCB 電源グランドに接続できます。

ハイサイド GaN パワー FET は、ローサイド基準ゲート ドライブ ピン (INH) またはハイサイド基準ゲート ドライブ ピン (GDH) で制御できます。ハイサイド ゲート ドライブ信号レベル シフタは、厳しいパワー スイッチング環境でも、INH ピンの信号を確実にハイサイド ゲート ドライバに伝えます。スマート スイッチ付き GaN ブートストラップ FET を使うと、ダイオードの順方向電圧降下がなく、ハイサイド電源を過充電せず、逆方向回復電荷がありません。

LMG2652 は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率要件とバースト モード動作に対応しています。保護機能には、FET ターンオン インターロック、低電圧誤動作防止 (UVLO)、サイクル単位の電流制限、過熱シャットダウンが含まれます。

LMG2652 は 650V 140mΩ GaN パワー FET ハーフブリッジです。LMG2652 は、ハーフブリッジ パワー FET、ゲート ドライバ、ブートストラップ ダイオード、ハイサイド ゲート ドライブ レベル シフタを 6mm x 8mm の QFN パッケージに統合することで、設計の簡素化、部品点数の低減、基板面積の低減を実現しています。

ローサイド電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵抗方式よりも消費電力を低減でき、またローサイドのサーマル パッドを冷却用 PCB 電源グランドに接続できます。

ハイサイド GaN パワー FET は、ローサイド基準ゲート ドライブ ピン (INH) またはハイサイド基準ゲート ドライブ ピン (GDH) で制御できます。ハイサイド ゲート ドライブ信号レベル シフタは、厳しいパワー スイッチング環境でも、INH ピンの信号を確実にハイサイド ゲート ドライバに伝えます。スマート スイッチ付き GaN ブートストラップ FET を使うと、ダイオードの順方向電圧降下がなく、ハイサイド電源を過充電せず、逆方向回復電荷がありません。

LMG2652 は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率要件とバースト モード動作に対応しています。保護機能には、FET ターンオン インターロック、低電圧誤動作防止 (UVLO)、サイクル単位の電流制限、過熱シャットダウンが含まれます。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート ドライバおよび電流検出エミュレーション機能内蔵、 LMG2652 650V 140 mΩ GaN ハーフブリッジ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 2月 7日
EVM ユーザー ガイド (英語) LMG2652 Half-Bridge Daughtercard Evaluation Module User's Guide PDF | HTML 2024年 12月 18日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

ドーター・カード

LMG2652EVM-101 — LMG2652 ドーターカード

LMG2652 ドーターカードは、各種ハーフブリッジ トポロジに搭載した TI の統合型 GaN デバイスを迅速かつ容易に評価するプラットフォームを実現できる設計を採用しています。この基板は、ボード底面のエッジにある 6 本の電源ピンと 12 本のデジタル ピンを使用して、ソケットを使用した外部接続でより大規模なシステムに接続できる設計を採用しています。電源ピンは、高電圧 DC バス、スイッチ ノード、電源グランドで構成されるメイン スイッチング ループを形成します。デジタル ピンは、PWM ゲート入力を使用して LMG2652 (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG2100R026 — 100V、2.6mΩ、ハーフブリッジ GaN (窒化ガリウム) 電力段 LMG2100R044 — ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG2640 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、105mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG2650 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、95mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG2652 — ドライバと保護機能と電流センス機能内蔵、650V、140mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3427R030 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 — ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段
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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN (RFB) 19 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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