データシート
UC1825B-SP
- QML-V 認定済み、SMD 5962-8768106
- 5962 R8768106VYC:
- 最大 100krad (Si) の総電離線量 (TID) までの放射線硬度保証 (RHA) (1)
- 電圧または電流モード・トポロジと互換
- 最大 1MHz の実用動作スイッチング周波数
- 出力への伝播遅延 50ns
- 大電流のデュアル・トーテム・ポール出力 (2A ピーク)
- 広帯域幅のエラー・アンプ
- 二重パルス抑制機能を備えた完全ラッチ付きロジック
- パルス単位の電流制限
- ソフトスタート / 最大デューティ・サイクル制御
- ヒステリシス付きの低電圧誤動作防止
- 低いスタートアップ電流 (1.1mA)
(1)放射線耐性は、線量率=10mrad(Si)/s での初期デバイス認定に基づく標準値です。放射線ロット受け入れテストも実施可能です。詳しくは弊社にお問い合わせください。
UC1825B-SP PWM 制御デバイスは、高周波数のスイッチ・モード電源アプリケーション用に最適化されています。コンパレータとロジック回路の伝播遅延を最小化し、エラー・アンプの帯域幅とスルーレートを最大化するように特に配慮しました。このコントローラは、入力電圧フィードフォワード機能を備えた電流モードまたは電圧モード・システムで使用するよう設計されています。
保護回路には、1V スレッショルドの電流制限コンパレータ、TTL 互換のシャットダウン・ポート、最大デューティ・サイクル・クランプとしても使用可能なソフトスタート・ピンが含まれます。ロジックは完全にラッチされるため、ジッタフリーで動作し、一度に複数のパルスを出力しません。低電圧誤動作防止セクションに 800mV のヒステリシスを持たせることで、スタートアップ時に電流が確実に低減されるようにしています。低電圧誤動作防止の動作中、出力は高インピーダンスになります。
このデバイスは、パワー MOSFET のゲートなどの容量性負荷に大きなピーク電流をソースおよびシンクするよう設計されたトーテム・ポール出力を備えています。オン状態は HIGH レベルに設計されています。
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技術資料
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評価ボード
UC1825BEVM-CVAL — 5V / 50W プッシュプルの評価モジュール
The UC1825B-SP EVM shows off the capabilites of the SP process using a push-pull topology. In combination with the UC1901-SP the controller is able to allow for both isolated and non-isolated regulation requirements. The design is able to use an ouput choke to allow for very low ripple for high (...)
ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル
UC1825 TINA-TI Transient Reference Design
SLUM653.TSC (5219 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル
UC1825 Unencrypted TINA-TI Transient Spice Model
SLUM673.ZIP (6 KB) - TINA-TI Spice Model
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
CFP (HKT) | 16 | Ultra Librarian |
DIESALE (KGD) | — |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点