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TRF0208-SP

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放射線耐性保証 (RHA)、DC 付近 ～ 11GHz の 3dB BW (帯域幅)、シングルエンド入力、差動出力の RF 変換アンプ

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TRF0208-SP

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製品詳細

Current consumption (mA) 130 Frequency (min) (MHz) 0.01 Frequency (max) (MHz) 11000 Gain (typ) (dB) 16 Noise figure (typ) (dB) 6.8 OIP3 (typ) (dBm) 36 P1dB (typ) (dBm) 14.5 2nd harmonic (dBc) -56 3rd harmonic (dBc) 63 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 2 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) 25 to 25 Type Active Balun, RF FDA Rating Space
Current consumption (mA) 130 Frequency (min) (MHz) 0.01 Frequency (max) (MHz) 11000 Gain (typ) (dB) 16 Noise figure (typ) (dB) 6.8 OIP3 (typ) (dBm) 36 P1dB (typ) (dBm) 14.5 2nd harmonic (dBc) -56 3rd harmonic (dBc) 63 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 2 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) 25 to 25 Type Active Balun, RF FDA Rating Space
WQFN-FCRLF (RPV) 12 4 mm² 2 x 2
  • Standard microcircuit drawing (SMD), 5962-24202
  • Radiation:
    • Total ionizing dose (TID)
      • Radiation hardness assurance (RHA) up to 100krad (Si) TID
      • Enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) free process
      • High dose rate radiation lot acceptance testing (HDR RLAT) up to 100krad (Si) TID
    • Single event effects (SEE)
      • Single event latch-up (SEL) immune to linear energy transfer (LET) of 75MeV-cm2/mg
      • Single event transient (SET) characterized to LET of 75MeV‑cm2/mg
  • Space-grade QMLP
    • Lead-free construction
    • Extended temperature range: –55°C to +125°C
  • Excellent performance driving RF ADCs
  • Fixed power gain of 16dB in single-ended-to-differential mode
  • Bandwidth: 11GHz, 3dB
  • Gain flatness: 8GHz, 1dB
  • OIP3: 36dBm (2GHz), 32dBm (6GHz)
  • P1dB: 14.5dBm (2GHz), 11dBm (6GHz)
  • NF: 6.8dB (2GHz), 6.8dB (6GHz)
  • Gain and phase imbalance: ±0.3dB and ±3º
  • Power-down feature
  • Single-supply operation: 3.3V
  • Active current: 138mA
  • Standard microcircuit drawing (SMD), 5962-24202
  • Radiation:
    • Total ionizing dose (TID)
      • Radiation hardness assurance (RHA) up to 100krad (Si) TID
      • Enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) free process
      • High dose rate radiation lot acceptance testing (HDR RLAT) up to 100krad (Si) TID
    • Single event effects (SEE)
      • Single event latch-up (SEL) immune to linear energy transfer (LET) of 75MeV-cm2/mg
      • Single event transient (SET) characterized to LET of 75MeV‑cm2/mg
  • Space-grade QMLP
    • Lead-free construction
    • Extended temperature range: –55°C to +125°C
  • Excellent performance driving RF ADCs
  • Fixed power gain of 16dB in single-ended-to-differential mode
  • Bandwidth: 11GHz, 3dB
  • Gain flatness: 8GHz, 1dB
  • OIP3: 36dBm (2GHz), 32dBm (6GHz)
  • P1dB: 14.5dBm (2GHz), 11dBm (6GHz)
  • NF: 6.8dB (2GHz), 6.8dB (6GHz)
  • Gain and phase imbalance: ±0.3dB and ±3º
  • Power-down feature
  • Single-supply operation: 3.3V
  • Active current: 138mA

The TRF0208-SP is a very high performance fully differential amplifier (FDA) optimized for radio frequency (RF) applications. This device is excellent for ac-coupled applications that require a single-ended to differential conversion when driving an analog-to-digital converter (ADC) such as the high-performance AFE7950-SP or ADC12DJ5200-SP. The on-chip matching components simplify printed circuit board (PCB) implementation and provide the highest performance over the usable bandwidth. The device is fabricated using TI’s advanced complementary BiCMOS process, and available in a space-saving WQFN-FCRLF package.

The TRF0208-SP operates on a single-rail supply and consumes about 138mA of active current. A power-down feature is available for power savings.

The TRF0208-SP is a very high performance fully differential amplifier (FDA) optimized for radio frequency (RF) applications. This device is excellent for ac-coupled applications that require a single-ended to differential conversion when driving an analog-to-digital converter (ADC) such as the high-performance AFE7950-SP or ADC12DJ5200-SP. The on-chip matching components simplify printed circuit board (PCB) implementation and provide the highest performance over the usable bandwidth. The device is fabricated using TI’s advanced complementary BiCMOS process, and available in a space-saving WQFN-FCRLF package.

The TRF0208-SP operates on a single-rail supply and consumes about 138mA of active current. A power-down feature is available for power savings.
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TRF0208-SP Radiation-Hardness-Assured (RHA), Near-DC to 11GHz, Fully Differential RF Amplifier データシート (Rev. A) PDF | HTML 2024年 12月 2日
* 放射線と信頼性レポート TRF0208-SP, Near-DC to 11GHz, Fully Differential RF Amplifier Single-Event Effects (SEE) Radiation Report PDF | HTML 2024年 12月 23日
* 放射線と信頼性レポート TRF0208-SP Total Ionizing Dose (TID) Report PDF | HTML 2024年 12月 17日
技術記事 Phased array antenna systems: A new paradigm for electronics in satellites (Rev. A) PDF | HTML 2024年 6月 11日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TRF0208SP-EVM — TRF0208-SP の評価基板

TRF0208-SP 評価基板 (EVM) は、TRF0208-SP デバイスの評価に使用できます。このデバイスは、2mm × 2mm の 12 ピン WQFN パッケージに封止済みで、差動出力の RF アンプです。このデバイスは、高速かつ RF 差動入力の ADC を駆動するための設計を採用しており、多くの場合、2 個のコンポーネント (ゲイン ブロックとパッシブ バラン) を使用する駆動段が不要になります。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
リファレンス・デザイン

TIDA-010260 — 4T5R 宇宙グレード統合型トランシーバのリファレンス デザイン

4T5R 宇宙グレード統合型トランシーバのリファレンス デザインは、クロッキング ソリューションと電源ソリューションを搭載したフル RF サンプリング トランシーバを組み込んでいます。このデザインでは、すべて SEP 特性の TI デバイスと宇宙認定取得済みの受動部品が VITA-57 フォーム ファクタ内に搭載されています。
設計ガイド: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
WQFN-FCRLF (RPV) 12 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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