BOOSTXL-LMG2100-MD
LMG2100 昇圧コンバータの評価基板
BOOSTXL-LMG2100-MD
概要
BOOSTXL-LMG2100-MD 評価基板 (EVM) は、サーボ ドライブなどの高精度ドライブを精密制御するために、高精度インライン シャント ベース位相電流検出機能を使用した GaN ベースのインバータを実装しています。評価基板は TI BoosterPack™ と互換性のあるインターフェイスを採用しており、C2000™ MCU LaunchPad™ 開発キットと接続して、容易な性能評価を可能にします。
特長
- 40kHz の PWM で高効率 (ピーク 99.3%) を実現し、ヒートシンクなしで、周囲温度 25℃で最大 27ARMS の連続電流で動作可能
- 小型フォーム ファクタの GaN ハーフブリッジ電力段は、高い電力密度や、プリント基板レイアウトのシンプル化に貢献
- GaN ハーフブリッジを採用すると、より高い PWM 周波数での動作が可能になり、DC バス コンデンサの高さを引き下げると同時に、電解コンデンサからセラミック コンデンサに置き換えることが可能
- 逆回復損失がゼロのため、スイッチ ノードの発振が減少
- 16.6ns の短いデッド タイムにより位相電圧の歪みを最小化
- 1mΩ シャントと PWM 除去率の高い電流センス アンプを使用した、±33A 範囲の高精度の位相電流センス
- ヒートシンクは付属していません
- 制御ボードは付属していません
窒化ガリウム (GaN) 電力段
設計ファイル
技術資料
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種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |||
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EVM ユーザー ガイド (英語) | BOOSTXL-LMG2100-MD Evaluation Module | PDF | HTML | 2025年 2月 5日 | |||
証明書 | BOOSTXL-LMG2100-MD EU Declaration of Conformity (DoC) | 2024年 12月 16日 |