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ISO6520-Q1

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Automotive, 100V isolation dual-channel 2/0 digital isolator

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製品詳細

Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 450 CMTI (min) (V/µs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (µs) 0.011 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 450 CMTI (min) (V/µs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (µs) 0.011 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Dual channel, CMOS output functional isolators
  • 50Mbps data rate
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Device temperature Grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
  • Robust SiO2 isolation barrier with ±150kV/µs typical CMTI
  • Functional Isolation (8-D):
    • 450VRMS, 637VDC working voltage
    • 707VRMS, 1000VDC transient voltage (60s)
  • Wide supply range: 1.71V to 1.89V and 2.25V to 5.5V
  • 1.71V to 5.5V level translation
  • Default output High (ISO652x-Q1) and Low (ISO652xF-Q1) Options
  • 1.8mA per channel typical at 1Mbps at 3.3V
  • Low propagation delay: 11ns typical at 3.3V
  • Robust electromagnetic compatibility (EMC)
    • System-Level ESD, EFT, and surge immunity
    • Ultra-low emissions
  • Narrow-SOIC (8-D) package options
  • Dual channel, CMOS output functional isolators
  • 50Mbps data rate
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Device temperature Grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
  • Robust SiO2 isolation barrier with ±150kV/µs typical CMTI
  • Functional Isolation (8-D):
    • 450VRMS, 637VDC working voltage
    • 707VRMS, 1000VDC transient voltage (60s)
  • Wide supply range: 1.71V to 1.89V and 2.25V to 5.5V
  • 1.71V to 5.5V level translation
  • Default output High (ISO652x-Q1) and Low (ISO652xF-Q1) Options
  • 1.8mA per channel typical at 1Mbps at 3.3V
  • Low propagation delay: 11ns typical at 3.3V
  • Robust electromagnetic compatibility (EMC)
    • System-Level ESD, EFT, and surge immunity
    • Ultra-low emissions
  • Narrow-SOIC (8-D) package options

The ISO652x-Q1 devices are high-performance, dual-channel functional isolators designed for cost sensitive, space constrained applications that require isolation for non-safety applications. The isolation barrier supports a working voltage of 450VRMS and transient over voltages of 1000VDC.

The ISO652x-Q1 devices provide high electromagnetic immunity and low emissions at low power consumption, while isolating CMOS or LVCMOS digital I/Os. Each isolation channel has a logic input and output buffer separated by TI’s double capacitive silicon dioxide (SiO2) insulation barrier. ISO6520-Q1 has two isolation channels with both channels in the same direction. ISO6521-Q1 has two isolation channels with one channel in each direction. In the event of input power or signal loss, the default output is high for devices without suffix F and low for devices with suffix F. See Device Functional Modes section for further details.

These devices help prevent ground loops and noise currents between mixed voltage domain systems on data buses, such as CAN and LIN, from causing data corruption. Through chip design and layout techniques, the electromagnetic compatibility of the ISO652x-Q1 devices have been significantly enhanced to ease system-level ESD and emissions compliance.

The ISO652x-Q1 devices are high-performance, dual-channel functional isolators designed for cost sensitive, space constrained applications that require isolation for non-safety applications. The isolation barrier supports a working voltage of 450VRMS and transient over voltages of 1000VDC.

The ISO652x-Q1 devices provide high electromagnetic immunity and low emissions at low power consumption, while isolating CMOS or LVCMOS digital I/Os. Each isolation channel has a logic input and output buffer separated by TI’s double capacitive silicon dioxide (SiO2) insulation barrier. ISO6520-Q1 has two isolation channels with both channels in the same direction. ISO6521-Q1 has two isolation channels with one channel in each direction. In the event of input power or signal loss, the default output is high for devices without suffix F and low for devices with suffix F. See Device Functional Modes section for further details.

These devices help prevent ground loops and noise currents between mixed voltage domain systems on data buses, such as CAN and LIN, from causing data corruption. Through chip design and layout techniques, the electromagnetic compatibility of the ISO652x-Q1 devices have been significantly enhanced to ease system-level ESD and emissions compliance.
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技術資料

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* データシート ISO652x-Q1 General Purpose Dual-Channel Automotive Functional Isolators データシート (Rev. A) PDF | HTML 2025年 2月 24日
ホワイト・ペーパー Shrinking Solution Size and Cost With Functional Isolation PDF | HTML 2024年 8月 22日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

ISO6521REUEVM — ISO6521 デジタル信号向け、デュアルチャネル、機能絶縁型アイソレータの評価基板

ISO6521REUEVM は、8 ピン DFN パッケージ封止、デュアルチャネル、機能絶縁型アイソレータである ISO6521 の評価に適した評価基板 (EVM) です。この評価基板 (EVM) には追加のフットプリントがあり、開発ユーザーは複数の部品を追加して、さまざまな一般的なアプリケーションをテストするフレキシビリティを確保できます。また、この評価基板 (EVM) は複数のテスト ポイントを搭載しており、最小点数の外部部品でデバイスを評価できます。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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