JAJSC53C February   2007  – January 2016 LM5109B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Start-Up and UVLO
      2. 7.3.2 Level Shift
      3. 7.3.3 Output Stages
    4. 7.4 Device Functional Modes
    5. 7.5 HS Transient Voltages Below Ground
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Select Bootstrap and VDD Capacitor
        2. 8.2.2.2 Select External Bootstrap Diode and Its Series Resistor
        3. 8.2.2.3 Selecting External Gate Driver Resistor
        4. 8.2.2.4 Estimate the Driver Power Loss
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 コミュニティ・リソース
    3. 11.3 商標
    4. 11.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 11.5 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • ハイサイドとローサイド両方のNチャネルMOSFETを駆動
  • ピーク出力電流：1A（シンク1.0Aおよびソース1.0A）
  • TTLおよびCMOSに独立して互換性を持つ入力
  • ブートストラップ電源電圧：108V DC
  • 高速伝搬時間（標準30ns）
  • 15nsの立ち上がり/立ち下がり時間で1000pFの負荷を駆動
  • 優れた伝搬遅延マッチング（標準2ns）
  • 電源レールの低電圧誤動作防止
  • 低消費電力
  • 8ピンSOICおよび熱特性強化型8ピンWSONパッケージ

2 アプリケーション

  • 電流供給プッシュプル・コンバータ
  • ハーフ/フルブリッジのパワー・コンバータ
  • ソリッド・ステート・モーター・ドライブ
  • 2スイッチのフォワード・パワー・コンバータ

3 概要

LM5109Bデバイスは、同期降圧型またはハーフブリッジの構成においてハイサイドとローサイド両方のNチャネルMOSFETを駆動するよう設計された、コスト効率の優れた高電圧ゲート・ドライバです。フローティング・ハイサイド・ドライバは、最大90Vのレール電圧で動作できます。各出力は、コスト効率の優れたTTLおよびCMOS互換の入力スレッショルドによって独立して制御されます。

堅牢なレベル・シフト技術により、消費電力を抑えながら高速で動作し、制御入力ロジックからハイサイド・ゲート・ドライバへのクリーンなレベル遷移を実現します。ローサイドとハイサイド両方の電源レールに低電圧誤動作防止機能が搭載されています。このデバイスは、8ピンSOICパッケージ、および熱特性が強化された8ピンWSONパッケージで供給されます。

製品情報(1)

型番 パッケージ 本体サイズ（公称）
LM5109B SOIC (8) 4.90mm×3.91mm
WSON (8) 4.00mm×4.00mm
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

アプリケーション概略図

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